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SK海力士扩产 DRAM涨势或提前结束

来源:体育网 作者:七娃 人气: 发布时间:2019-09-08
摘要:韩国存储器大厂SK海力士(SK Hynix)宣布今年资本支出追加至86.1亿美元,进行3D NAND Flash和DRAM两大存储器扩产,让3D NAND型存储器战火提前引爆。市场正密切注意三星和美光的动作,担心DRAM涨势将提前划下句点。 韩国存储器大厂率先提早资本支出的行动,为

韩国存储器大厂SK海力士(SK Hynix)宣布今年资本支出追加至86.1亿美元,进行3D NAND Flash和DRAM两大存储器扩产,让3D NAND型存储器战火提前引爆。市场正密切注意三星和美光的动作,担心DRAM涨势将提前划下句点。

韩国存储器大厂率先提早资本支出的行动,为两大存储器一片缺货声中,投下震撼弹。根据韩国媒体报导,SK海力士追加今年资本支出至9.6万亿韩元(约86.1亿美元),比年初宣布的数字增加37%,比去年的资本支出增逾五成。

SK海力士上修资本支出,想让新厂提前完工。SK海力士无锡厂主要以生产DRAM为主;另在南韩清州厂主要生产3D NAND Flash。这两项新建投资原定完工时间是2019年上半年,如今将提早至明年第4季,比预定时间提早半年。

虽然SK海力士强调这次投资只要用于技术升级,即使新厂落成,也不会造成整体存储器暴增,估计DRAM和NAND Flash产能只会增加3~5%,不会造成存储器供过于求。

不过,SK海力士这项扩大投资,已引起法人圈担心存储器乌云将提前飘至。稍早已有美系外资下修美光营运展望,导致美光股价自32.95美元高档,连续五个交易日呈现下跌,上周五(28日)跌破30美元支撑,以29.28美元作收,跌幅3.2%,波段跌幅逾11%。

某市调机构稍早更认为,未来几年包括三星电子、SK海力士、美光、英特尔、东芝、西数、武汉新芯、长江存储,都大举提高3D NAND Flash产能,而且未来还有新厂商也会加入战场,3D NAND Flash产能供过于求的可能性相当高。


责任编辑:七娃
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